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IPD30N03S4L-14 MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

2022-11-18 9:02:00
  • 只做原装 假一罚十

IPD30N03S4L-14 MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 30 A

Rds On-漏源导通电阻: 13.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 14 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 31 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 2 ns

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 2 ns

系列: OptiMOS-T2

2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 12 ns

典型接通延迟时间: 3 ns

宽度: 6.22 mm

零件号别名: IPD3N3S4L14XT SP000275919 IPD30N03S4L14ATMA1

单位重量: 330 mg