製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 25 V
Id - C連續漏極電流: 40 A
Rds On - 漏-源電阻: 1.1 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V
Qg - 閘極充電: 37 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 69 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 3 ns
互導 - 最小值: 80 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 4 ns
系列: OptiMOS
5000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 26 ns
標準開啟延遲時間: 5 ns
零件號別名: BSZ011NE2LS5I SP001730810
每件重量: 38.760 mg
