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BSC060P03NS3EG 封装TDSON8 P-CH 100A 30V全新原装 060P3NSE 场效应

2024-3-6 15:18:00
  • BSC060P03NS3EG

深圳市宗天技术开发有限公司 公司经销Infineon,IR,FAIRCHILD,ST,FUJI,TOSHIBA,SANYO等国际**品牌,

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主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、

UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.9 V

Qg-栅极电荷: 61 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 83 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 34 nS

正向跨导 - 最小值: 32 S

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 139 nS

系列: OptiMOS P3

5000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 66 nS

典型接通延迟时间: 15 ns

宽度: 5.15 mm

零件号别名: SP000472984 BSC6P3NS3EGXT BSC060P03NS3EGATMA1

单位重量: 100 mg

供应商

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    深圳市宗天技术开发有限公司

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