制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 310 mA
Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 870 pC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 7.3 ns
正向跨导 - 最小值: 80 mS
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.8 ns
系列: DMN63
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 12.6 ns
典型接通延迟时间: 2.7 ns
单位重量: 8 mg
