制造商 VISHAY/威世
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 : SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 15.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 11 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 57 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 5.2 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
系列: SI7
包装数量: 3000
零件名: SI7370DP-T1
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