属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss） 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 16.9A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 83mΩ @ 6A，4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C） 41.7W
类型 N沟道
供应VBsemi品牌 VBE1695 原装现货联系QQ1640951075
2025-8-10 14:30:00
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供应VBsemi品牌 VBE1695 原装现货
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