物料厂商 ON Semiconductor
数据列表 NTD6600N
标准包装 2500
包装 标准卷带
零件状态 停產
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
FET类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 146 毫欧 @ 6A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 20nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 700pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.28W（Ta），56.6W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DPAK
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