DMT6007LFGQ-7

2020-9-27 16:21:00
  • 製造商: Diodes Incorporated 產品類型: MOSFET RoHS: 詳細資料 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: PowerDI3333-8 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V Id - C連續漏極電流: 80 A Rds On - 漏-源電阻: 6 mOhms Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V Vgs th

製造商: Diodes Incorporated

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: PowerDI3333-8

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V

Id - C連續漏極電流: 80 A

Rds On - 漏-源電阻: 6 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 800 mV

Qg - 閘極充電: 41.3 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 150 C

Pd - 功率消耗 : 62.5 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

晶體管類型: 1 N-Channel

品牌: Diodes Incorporated

互導 - 最小值: 100 S

下降時間: 9.7 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 4.3 ns

原廠包裝數量: 2000

子類別: MOSFETs

標準斷開延遲時間: 23.4 ns

標準開啟延遲時間: 5.7 ns