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FCI25N60N-F102

2023-5-22 10:17:00
  • TO-252-3 1 Channel N-Channel MOSFET 20 V MOSFET , DPAK-3 P-Channel 60 V MOSFET , 1 Channel N-Channel 200 mOhms MOSFET , 2 Channel N-Channel MOSFET , N-Channel 50 A 40 V 2.5 V MOSFET , 100 mA MOSFET

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-262-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 25 A

Rds On-漏源导通电阻: 107 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 74 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 216 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

配置: Single

高度: 7.88 mm

长度: 10.29 mm

系列: FCI25N60N

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.83 mm

商标: ON Semiconductor / Fairchild

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

零件号别名: FCI25N60N_F102

单位重量: 2.084 g

供应商

  • 企业:

    深圳市胜彬电子有限公司

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    陈先生

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