数据列表 NTMFS4C08N;_
标准包装 1，500
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 -
其它名称 NTMFS4C08NT1G-ND
NTMFS4C08NT1GOSTR
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A（Ta），52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5.8 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 18.2nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1113pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 760mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳 8-PowerTDFN
