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BSO613SPVG 贴片SOIC-8 P-CH 60V 3.5A 130MR全新原装现货 613SPV

2025-8-9 9:24:00
  • BSG0812ND 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 ,表面贴装型-P-通道-60V-3.44A(Ta)-2.5W(Ta)-PG-DSO-8。

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产品信息

数据列表 BSO613SPV G;_

标准包装 2,500

包装 标准卷带

零件状态 停產

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列 SIPMOS?

其它名称 BSO613SPV G

BSO613SPV G-ND

BSO613SPV GTR-ND

BSO613SPVG

BSO613SPVGHUMA1TR

BSO613SPVGT

BSO613SPVGXT

SP000216309

规格

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.44A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 130 毫欧 @ 3.44A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 875pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 PG-DSO-8

封装/外壳 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

相关产品型号如:BSG0812ND、BSO615NG、BSS123N、BSS123N H6327、BSS123NH6327、BSS138N、BSS169H6327、BSS214NH6327 和 BSS306NH6327 等,如有需要,欢迎垂询。谢谢!

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