数据列表 NTGD4167C;_
标准包装 3，000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 -
其它名称 NTGD4167CT1G-ND
NTGD4167CT1GOSTR
规格
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A，1.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 90 毫欧 @ 2.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 295pF @ 15V
功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装 6-TSOP
