产品属性 属性值 搜索相似
制造商： 东芝
产品分类： 场效应管
RoHS： 细节
技术： 硅
安装方式： 通孔
包装/箱： TO-220FP-3
晶体管极性： N通道
通道数： 1路
Vds-漏源击穿电压： 800伏
Id-连续漏极电流： 10安
Rds On-漏源电阻： 700毫欧
Vgs-栅极-源极电压： 30伏
Vgs th-栅源阈值电压： 4伏
Qg-门禁费用： 46 nC
最低工作温度： -55摄氏度
最高工作温度： + 150摄氏度
钯-功耗： 50瓦
频道模式： 增强功能
商品名： MOSVIII
打包： 管
组态： 单
高度： 15毫米
长度： 10毫米
系列： TK10A80E
晶体管类型： 1个N通道
宽度： 4.5毫米
牌： 东芝
下降时间： 35纳秒
产品类别： 场效应管
上升时间： 40纳秒
工厂包装数量： 50
子类别： 场效应管
典型的关闭延迟时间： 140毫微秒
典型的开启延迟时间： 80纳秒
单位重量： 6克
