产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSONP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 5.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1 mm
长度: 6 mm
系列: CSD17302Q5A
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.9 mm
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 最小值: 68 S
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 10.6 ns
典型接通延迟时间: 5.2 ns
单位重量: 84.100 mg
