UF3SC065030D8S 是具有 34 mΩ RDS(ON) 的 650 V 碳化硅 FET，而 UF3SC065040D8S 是具有 45 mΩ RDS(ON) 的 650 V 碳化硅 FET。这些器件以 DFN 8×8 封装提供了该电压等级的最低 RDS(ON) 值。受封装中的导线数限制，两种碳化硅 FET 的额定电流均为 18 A，最高工作温度为 +150°C。这些零件采用 UnitedSIC 独特的堆叠共源共栅配置，将常开碳化硅 JFET 与硅 MOSFET 共封装在一起，从而生产出常关碳化硅 FET 器件。碳化硅 FET 可以在 0 至 10 V 或 0 至 12 V 的电压下驱动，其栅极驱动特性与标准硅 FET、IGBT 和碳化硅 MOSFET 的栅极驱动特性相匹配。这些零件还具有开尔文栅极返回，以实现更清洁的驱动特性。这些碳化硅 FET 是 DFN 8×8 封装的其他开关器件的引脚兼容型直插式代替品，因为它们的较低功耗可实现较高频率的开关。在空间有限的设计中，设计人员可以实现更高的转换效率和更高的功率密度。薄型表面贴装封装支持低电感设计。通过使用烧结的银芯片贴装技术，可以实现非常低的结壳热阻。
特性
典型的导通电阻：34 mohm 和 45 mohn
最大工作温度为 +150°C
出色的反向恢复
低栅极电荷
低本征电容
ESD 保护，HBM 2 级
应用
电动汽车 (EV) 充电
光伏逆变器
开关模式电源
功率因数校正模块
感应加热
