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IRFH7185TRPBF

2023-5-22 10:17:00
  • AEC-Q101 MOSFET , 1 Channel N-Channel 75 A 60 V MOSFET , SiC 1200 V MOSFET , 124 nC MOSFET , SMD/SMT N-Channel 25 V MOSFET , 1 Channel P-Channel 600 V MOSFET

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PQFN-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 19 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.6 V

Qg-栅极电荷: 36 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.6 W

商标名: StrongIRFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 0.83 mm

长度: 6 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5 mm

商标: Infineon / IR

正向跨导 - 最小值: 280 S

下降时间: 3.9 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 9.9 ns

工厂包装数量: 4000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 14 ns

典型接通延迟时间: 6.5 ns

零件号别名: SP001566602