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ROFS诺思RSFD1702C代理渠道原装正品现货

发布企业:深圳市光华微科技有限公司日期:2020/5/27 14:11:32
摘要:ROFS诺思RSFD1702C代理渠道

薄膜体声波芯片制造商诺思发布了RSFD1702C及RSFD2502C两款中高频LTE频段双工器

国内首家薄膜体声波(FBAR)芯片制造商诺思(天津)微系统有限责任公司(以下简称诺思),近日在第二届重庆国际手机博览会上发布了基于 FBAR 工艺的两款中高频 LTE 频段双工器,RSFD1702C 及 RSFD2502C。

诺思副总裁蒋浩在展会上说,自 2014 年开始大批量交付以来,诺思已经向全球 100 余家客户供应了射频滤波芯片近 1 亿颗,广泛应用于各类 3G/4G 无线智能终端、导航终端及设备、基站、卫星通讯、物联网终端等领域。

蒋浩谈到,公司研发团队在 FBAR 领域 17 年持续、不间断努力,不断提升产品设计能力和制造工艺能力。截止到今天,公司仍然是国内唯一掌握自主知识产权,唯一实现大批量交付,且各项性能指标全部达到甚至部分超过国际同行业水平的公司。2019 年诺思工厂交付能力将达到 20 亿颗 / 年。

本次在展会上诺思发布的双工器,预计将在 2018 年 12 月大批量交付市场。同时蒋浩还透露,今年年底前诺思还将发布一款高功率全频段滤波器产品和针对 5G 新频段的滤波器样品。

RSFD1702C 采用最新的技术和工艺,保证滤波器具有优良的上行 / 下行通带插损性能。上行通带整体插损性能优于 -2.4dB, 通带中央插损 -1.1dB,同时具有较高的功率容量。下行通带中央插损约 -1.5dB, 同时具有较高的功率容量,可应对基站应用的需求。同时,该款产品具有较高的上行 / 下行之间的隔离度性能,达到 -55dB 以下。该产品还采用了先进的芯片倒装封装工艺,产品尺寸 1.8mm x 1.4mm x 0.65mm,以适用于客户对系统空间不断提高的要求。

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