SI2304BDS-T1-GE3 单N 沟道30V 0.07Ohm 0.75W 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23-3
SI2304BDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.6A
Rds（最大）@ ID，VGS 70 mOhm @ 2.5A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 4nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 225pF @ 15V
功率 - 最大 750mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 2.6 A
RDS -于 70@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 7.5 ns
典型上升时间 12.5 ns
典型关闭延迟时间 19 ns
典型下降时间 15 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 750
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 70@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 2.6
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 2.6A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 70 mOhm @ 2.5A， 10V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 750mW
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 225pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 4nC @ 5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2304BDS-T1-GE3CT
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 2.6 A
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 70 mOhms
功率耗散 750 mW
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TO-236-3
零件号别名 SI2304BDS-GE3
上升时间 12.5 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 12.5 ns
Continuous Drain Current Id :3.2A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :105mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :20V
据韩国媒体Ddaily报道，三星正在加快先进工艺的过渡，位于韩国京畿道平泽P2号工厂正在安装设备，同时建设极紫外光刻（EUV）生产线，计划生产先进的DRAM。
据行业消息称，三星与设备商已签署了设备合同，正在平泽新工厂中安装半导体设备，将用于批量投产第二代（1ynm）和第三代（1znm）10nm级DRAM，预估初期月产能约3万片12吋晶圆。
三星2020年第一季度资本支出7.3兆韩元（约60亿美元），其中半导体支出为6.0兆韩元（约49亿美元），同比增长近一倍。三星还在财报中指出，会将重点放在不断增长的服务器DRAM需求上，并通过扩大1Ynm技术迁移来增强成本竞争力，同时推进1znm DRAM的技术发展。但随着电路的物理极限越来越近，改善信号处理速度，降低工作电压和待机电压，提高新技术的DRAM产量，成为三星推进EUV工艺量产的动力。
AD8505ARJZ AD8532ARZ-REEL7 AD8534ARZ-REEL AD8541ARTZ-REEL7 AD8542ARZ-REEL7 AD8544ARUZ AD8544ARZ AD8613AUJZ AD8617ARZ-REEL7 AD8692ARZ-REEL7 AD8694ARZ-REEL7 ADA4505-1ARJZ
工信部副部长辛国斌在国务院联防联控机制发布会上表示，工信部将会同有关部门积极推动扩大内需，培育新型消费，稳定汽车等大众消费，促进5G技术场景应用，发展远程医疗、在线教育、在线办公等新业态新模式。要进一步加大力度推动工业通信业重大项目加快开工建设，加快5G网络、物联网、大数据、人工智能、智慧城市等新基础设施建设，推动在建项目尽快投产达产。
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