SI2301CDS-T1-GE3 vishay MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23
SI2301CDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.1A
Rds（最大）@ ID，VGS 112 mOhm @ 2.8A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 10nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 405pF @ 10V
功率 - 最大 1.6W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 2.3 A
RDS -于 112@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 11 ns
典型上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
典型下降时间 10 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±8
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 860
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 112@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 2.3
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 1.6W
匹配代码 SI2301CDS
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 3000
极化 P-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我（D ） 2.7A
V（ DS ） 20V
R（ DS上） 0.142Ohm
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 3.1A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 20V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 112 mOhm @ 2.8A， 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.6W
输入电容（Ciss ） @ VDS 405pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS 10nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2301CDS-T1-GE3CT
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 0.112 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 0.86 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23， TO-236
典型栅极电荷@ VGS 3.3 nC V @ 2.5， 5.5 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS 405 pF V @ 10
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 2.3 A
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 112 mOhms
功率耗散 860 mW
封装/外壳 TO-236-3
零件号别名 SI2301CDS-GE3
上升时间 35 ns
漏源击穿电压 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 35 ns
漏极电流（最大值） 2.3 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?8 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
工作温度范围 -55C to 150C
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
删除 Compliant
Continuous Drain Current Id :-3.1A
Drain Source Voltage Vds :-20V
On Resistance Rds(on) :142mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :2.5V
功耗 :860mW
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412100
Threshold Voltage Vgs :-400mV
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :-
Current Id Max :-3.1A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
早在去年下半年，就有消息称vivo要进军手机芯片、掌握核心科技，不过对此官方频频否认，表示是外界误读。
不过在2020年5月9日，数码博主@数码闲聊站 曝光了2张vivo申请的芯片商标，似乎坐实了vivo对手机芯片的野心。
2个商标分别是“vivo SOC”和“vivo chip”，申请日期同样是去年下半年——2019年9月份，商标覆盖的产品类别包括中央处理器、调制解调器、计算机芯片、印刷电路、计算机存储装置等等等等。
当然申请芯片商标并不意味vivo会学习华为麒麟从头开始自研一颗手机芯片，vivo更有可能像微软一样，联合芯片厂商（高通、联发科、三星）定制一颗属于自己专属芯片。
@数码闲聊站 也表示：“大蓝厂是很包容了，和之前小蓝厂一样通吃高通、联发科和猎户座，又开始联合定制芯片了。”
目前尚不清楚这款可能存在vivo定制芯片会在何时登场，不过一旦拥有了这颗芯片，vivo在营销上的选择就会多出不少，相信届时手机圈会更加热闹吧。
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未来苹果笔记本电脑可以通过使用更纤薄的键盘变得更薄，方法是将目前的蝴蝶机制换成一个按键位置更靠近电路板的键盘机制，从而缩短键程，减少键盘制造所需的材料。
当前一代MacBook Pro机型中使用的蝴蝶键盘经过了多次修订，以解决其功能问题，包括灰尘碎屑可能干扰蝴蝶键盘操作，尽管苹果进行了多次修复来解决该问题，但消费者仍然就键盘问题进行投诉。
美国专利商标局周二公布了一项苹果新专利，其名为“厚度减小的键盘组件和形成键盘组件的方法”，这项专利显示，苹果试图进一步减少 笔记本电脑键盘厚度，同时修正蝴蝶键盘带来的各种问题。
在苹果提交的文件中，该公司建议使用一块直接粘贴在印刷电路板(PCB)上的薄膜。开关外壳可以选择性地直接固定在薄膜或PCB上，圆顶开关直接耦合在薄膜顶部。通常，薄膜不附着在PCB上，而是用于帮助简化连接，从而触发按键。通过将膜完全附着在PCB上，可以消除任何空间浪费，并使各个组件靠得更近。
苹果公司还认为，通过将开关直接连接到薄膜，可以更轻松地安装开关，从而减少组装时间。为了进行电连接，该膜可以由一系列基本上柔性的导电材料构成的膜垫组成，该膜也可以使用导电粘合剂附着到PCB上，一旦干燥就可以正常工作。
苹果这项专利并不限于现有的蝶形系统。苹果公司认为它适合任何铰链机构，苹果在专利当中列举了V形铰链，剪式铰链，伸缩式铰链和滑动铰链机构作为示例。苹果每周都会提交大量专利申请，但不能保证这些概念会在将来的产品或服务中出现。
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