数据列表 SPW35N60C3;_
标准包装 30
包装 管件
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 CoolMOS?
其它名称 SP000014970
SPW35N60C3
SPW35N60C3-ND
SPW35N60C3IN
SPW35N60C3IN-ND
SPW35N60C3X
SPW35N60C3XK
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 34.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 21.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1.9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 200nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 313W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3
