SI7658ADP-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 60A
Rds（最大）@ ID，VGS 2.2 mOhm @ 20A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 2.5V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 110nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 4590pF @ 15V
功率 - 最大 83W
安装类型 Surface Mount
包/盒 PowerPAK? SO-8
供应商器件封装 PowerPAK? SO-8
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8PowerPAK SO
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 36 A
RDS -于 2.2@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 45 ns
典型上升时间 18 ns
典型关闭延迟时间 60 ns
典型下降时间 30 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
包装高度 1.04
最大功率耗散 5400
渠道类型 N
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 2.2@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
包装宽度 5.89
供应商封装形式 PowerPAK SO
包装长度 4.9
PCB 8
最大连续漏极电流 36
引脚数 8
铅形状 No Lead
单位包 3000
最小起订量 3000
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 60A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 2.5V @ 250μA
供应商设备封装 PowerPAK? SO-8
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 2.2 mOhm @ 20A， 10V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 83W
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 4590pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 110nC @ 10V
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI7658ADP-T1-GE3CT
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 60 A
正向跨导 - 闵 100 S
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 2.3 mOhms
功率耗散 5.4 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 PowerPAK SO-8
零件号别名 SI7658ADP-GE3
上升时间 18 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 30 ns
Continuous Drain Current Id :60A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :0.0018ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :2.5V
功耗 :5.4W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :PowerPAK SO
No. of Pins :8
MSL :MSL 1 - Unlimited
Weight (kg) 0.0005
Tariff No. 85412900
