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DRV5011低压(最高5.5V)数字锁存霍尔效应传感器DRV5011ADDBZR

2025-8-21 10:04:00
  • Texas Instruments 的小型传感器非常适合增量旋转编码等应用

DRV5011 数字锁存霍尔效应传感器设计用于电机和其他旋转系统。这些器件具有高效的低压架构,工作电压范围为 2.5 V 至 5.5V。这些传感器采用标准 SOT-23、薄型 X2SON 和 DSBGA 封装。输出是无需上拉电阻的推挽驱动器,可实现更紧凑的系统。

当南磁极靠近封装顶部并超过 BOP 阈值时,器件将驱动一个低电压。该输出会保持低电平直至施加北磁极且 BRP 阈值被超越,这将导致输出驱动高电压。切换输出需要交替北极和南极,集成磁滞将 BOP 和 BRP 分开以提供可靠的切换。该器件可在 -40°C 至 +135°C 的宽环境温度范围内保持稳定的性能。

特性

超小型封装:X2SON、SOT-23 和 DSBGA

高磁敏度:±2 mT(典型值)

强磁滞:4 mT(典型值)

快速感应带宽:30 kHz

VCC 工作范围:2.5 V 至 5.5 V

推挽 CMOS 输出能够提供 5 mA 的拉电流,20 mA 的灌电流

工作温度范围:-40°C 至 +135°C

应用

增量旋转编码:

有刷直流电机反馈

电机转速(转速表)

机械行程

流体测量

旋钮旋转

轮速

BLDC 电机传感器

电动自行车

流量计

DRV5011-5012EVM