NTR4171PT1G MOS管30V SOT-23-3 P沟道 优势产品原装现货进口热卖
NTR4171PT1G产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.2A
Rds（最大）@ ID，VGS 75 mOhm @ 2.2A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 1.4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 15.6nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 720pF @ 15V
功率 - 最大 480mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 3.5 A
RDS -于 75@10V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 9 ns
典型上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型下降时间 22 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 75@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 1250
最大连续漏极电流 3.5
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 2.2A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.4V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 75 mOhm @ 2.2A， 10V
FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 480mW
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 720pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 15.6nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NTR4171PT1GOSCT
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
身高 1.01mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 150 mΩ
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.25 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 15.6 nC @ -10 V
典型输入电容@ VDS 720 pF @ -15
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 - 3.5 A
正向跨导 - 闵 7 S
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 90 mOhms
功率耗散 1.25 W
封装/外壳 TO-236
上升时间 16 ns
漏源击穿电压 - 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 22 ns
漏极电流（最大值） 3.5 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?12 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.075 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 30 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :-3.5A
Drain Source Voltage Vds :-30V
On Resistance Rds(on) :0.05ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
Threshold Voltage Vgs :-1.15V
功耗 :1.25W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.000033
Tariff No. 85412900
associated RE906
80-4-5
作为一家致力于自动驾驶汽车、机器人和测绘等领域的高分辨率激光雷达领先提供商，Ouster推出全球具成本优势的32通道激光雷达传感器OS1-32。OS1-32激光雷达传感器通过广为接受的成本价格，为研究人员、机器人专家和其它商业应用提供Ouster高分辨率数字激光雷达技术，从而加速感知系统的开发和部署。
Ouster的坚固耐用、结构紧凑的高分辨率激光雷达传感器产品家族又添一员大将——OS1-32传感器，专为实际商业部署而设计，其测距范围可达120米。与目前市场在售的任何一款高分辨率激光雷达传感器相比，OS1-32传感器的尺寸与重量更小，这使其能够独占鳌头。
Ouster首席执行官兼联合创始人Angus Pacala表示：“要想将计算机视觉从简单的避障功能扩展至更先进的感知能力，或将项目从研发转化到商业落地，以合理的价格获得更高分辨率的优质传感器对厂商来说，变得至关重要。OS1-32激光雷达传感器正是满足了客户的这一关键需求。”
除了OS1-32传感器的问世，Ouster还推出了新的模块化径向整流罩，用于解决OS1系列激光雷达传感器的定制安装问题。OS1继续提供独立操作所需的常规径向翅片盖设计。而对于希望为机器人、安防、汽车和无人机的应用程序创建自定义集成的客户，Ouster将共享机械和热设计要求，以确保其传感器能安全、可靠和高性能地运行。
Ouster现已正式接受OS1-32订单，首批传感器已于11月下旬发货，商业应用的定价为8，000美元(批量订购可提供折扣优惠)，针对非营利性研究机构的定价为6，000美元。
香港鑫锐保证原装进口现货
鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商(授权与非授权品牌)，一站式终端厂家配套：(质量保证诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
公司:鑫锐电子(香港)有限公司
联系人:姚小姐
手机:13725590222
电话:0755-83780666/83265111
传真:0755-82800889
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香港鑫锐保证原装进口现货
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据《日刊工业新闻》未说明消息来源报道称，松下正在与特斯拉安排从美国内华达的超级电池工厂向特斯拉上海工厂供应锂离子电池。
到目前为止，松下为特斯拉全面供应电池，如果其他公司介入，预计有风险;松下旨在利用现有的超级电池工厂，来减少所需的新投资。
特斯拉尚未说明上海工厂的电池供应方，将寻求多源供应商。一旦上海工厂的生产步入正轨，松下计划转向在本地生产电池。
特斯拉和松下可能需要获得美国政府的批准，才能向中国出口电池。
此前的1月8日，特斯拉首家海外工厂在上海正式开工建设。电视的产能规模。
在加快走出去的同时，创维等电视厂商近年来也持续遭遇来自互联网企业的跨界冲击，电视产品均价持续下滑，同质化也日益严重。
王志国认为，行业出现跨界挑战者的原因之一在于电视的供应链没有门槛，创维将为全球客户提供大屏AIOT智能解决方案。
美元，其中高通控制着59.6%。
