DMN3900UFA-7B
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: X2-DFN0806-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 650 mA
Rds On-漏源导通电阻: 760 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 950 mV
Qg-栅极电荷: 700 pC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 490 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: DMN39
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 23.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7.8 ns
工厂包装数量: 10000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 80.6 ns
典型接通延迟时间: 10.5 ns
