BCP51-16，115产品详细规格
标准包装1，000
晶体管类型PNP
- 集电极电流（Ic）（最大）1A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）45V
Vce饱和（最大）@ IB，IC500mV @ 50mA， 500mA
电流 - 集电极截止（最大）-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE100 @ 150mA， 2V
功率 - 最大1W
频率转换145MHz
安装类型Surface Mount
包/盒TO-261-4， TO-261AA
供应商器件封装SC-73
包装材料Tape & Reel (TR)
包装4SOT-223
类型PNP
引脚数4
最大集电极发射极电压45 V
集电极最大直流电流1 A
最小直流电流增益100@150mA@2V
最大工作频率145(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压0.5@50mA@500mA V
工作温度-55 to 150 °C
最大功率耗散1350 mW
安装Surface Mount
标准包装Tape & Reel
集电极最大直流电流1
Maximum Transition Frequency145(Typ)
包装宽度3.7(Max)
PCB3
最大功率耗散1350
欧盟RoHS指令Compliant
每个芯片的元件数1
最大集电极基极电压45
最低工作温度-55
供应商封装形式SC-73
标准包装名称SOT-223
最高工作温度150
包装长度6.7(Max)
最大集电极发射极电压45
包装高度1.7(Max)
最大基地发射极电压5
封装Tape and_Reel
标签Tab
铅形状Gull-wing
电流 - 集电极（ Ic）（最大）1A
晶体管类型PNP
安装类型Surface Mount
频率 - 转换145MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件500mV @ 50mA， 500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）45V
供应商设备封装SC-73
功率 - 最大1W
封装/外壳TO-261-4， TO-261AA
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时100 @ 150mA， 2V
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
其他名称568-8011-1
类别Bipolar Power
配置Single
外形尺寸1.7 x 6.7 x 3.7mm
身高1.7mm
长度6.7mm
最大集电极基极电压45 V
最大基地发射极电压5 V
最高工作温度+150 °C
最低工作温度-65 °C
包装类型SC-73
宽度3.7mm
工厂包装数量1000
增益带宽产品fT145 MHz
产品种类Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性PNP
发射极 - 基极电压VEBO5 V
直流集电极/增益hfe最小值100 at 150 mA at 2 V
直流电流增益hFE最大值100 at 150 mA at 2 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO45 V
安装风格SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO45 V
零件号别名BCP51-16 T/R
RoHSRoHS Compliant
集电极电流（ DC）（最大值）1 A
集电极 - 基极电压45 V
集电极 - 发射极电压45 V
发射极 - 基极电压5 V
频率（最大）145 MHz
功率耗散1 W
工作温度范围-65C to 150C
元件数1
直流电流增益（最小值）100
工作温度分类Military
AOZ8808DI-05、AOZ1284PI、AOZ1280CI、AOT11N70、AON7934、AON7544、AON7534、AON7524、AON7520、AON7506、AON7423、AON7421、AON7418、AON7410、AON7409、AON7407、AON7405、AON7403、AON7401、AON7296、AON7264E、AON6522、AON6512、AON6508、AON6504、AON6414AL、AON6262E、AON5820、AON2801、AOD603A、AOD516、AOD484、AOD482、AOD478、AOD444、AOD4185、AOD4184L、AOD4184A、AOD4132、AOD413A、AOD409、AOD417、AOD407、AOD403、AO8822、AO8810、AO3414、AO3402、AO4606、AO4485、AO4453、AO4447AL、AO4443、AO4468、AO4435、AO4421、AO4419、AO4407AL、AO4406AL、AO4354、AO4292、AO4264E、AO3485、AO3481、AO3480、AO3423、AO3422、AO3416、AO3415AL、AO3415、AO3407A、AO3401A、AO3400A
追求更高速率：通信模组将从2G向4G迁移，5G通信模组即将商用
目前，存量物联网设备使用2G通信模组为主，未来4G模组出货量将会快速增长；移远通信2019年2月发布基于高通X55 5G芯片的5G模组RG500Q、RM500Q，也是全球首批5G通信模组，预计最快将在2019年年底上市；StrategyAnalytics预计，4G物联网模组销量将在两年内达到顶峰，5G模组销量将会在2019年开始起步、并在2024年超过4G模组销量；预计2G模组国内市占率将在2023年降至0%，4G模组将于2021年达到峰值33%，此后开始下滑，5G模组将于2025年达到28%。
窄带发展提速：物联网（NB-IoT）模组出货量有望提速
NB-IoT作为基于授权频段的低功耗广域网蜂窝物联网技术，2019年起发展有望提速：一是NB-IoT最适合室内三表、地下管网、交通路网等应用，而这些正是智慧城市的重要场景；二是工信部2017年发布《关于全面推进移动物联网（NB-IoT）建设发展的通知》，规划2020年NB-IoT基站将达150万个，NB-IoT连接数将达6亿。截至2018年底，我国NB-IoT基站约100万，连接数约5000万，距离工信部目标仍有差距。预计2019年三大运营商将会进一步完善NB-IoT网络建设，同时发力NB-IoT的用户发展，措施可能包括设定指标、加大补贴力度等。预计2021年NB-IoT和eMTC模组的国内市占率将分别达到28%和15%。
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BCP51-16，115产品详细规格
标准包装1，000
晶体管类型PNP
- 集电极电流（Ic）（最大）1A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）45V
Vce饱和（最大）@ IB，IC500mV @ 50mA， 500mA
电流 - 集电极截止（最大）-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE100 @ 150mA， 2V
功率 - 最大1W
