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BCP56原装正品大量现货

2020-11-9 10:32:00
  • BCP56 原装正品大量现货

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 2,500

晶体管类型 NPN

- 集电极电流(Ic)(最大) 1.2A

电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V

Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止(最大) -

直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 150mA, 2V

功率 - 最大 1W

频率转换 -

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装 SOT-223-4

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 4SOT-223

类型 NPN

引脚数 4

最大集电极发射极电压 80 V

集电极最大直流电流 1.2 A

最小直流电流增益 25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V

最大集电极发射极饱和电压 0.5@50mA@500mA V

最大集电极基极电压 100 V

工作温度 -55 to 150 °C

最大功率耗散 1000 mW

安装 Surface Mount

标准包装 Cut Tape

标准包装 Tape & Reel

集电极最大直流电流 1.2

最低工作温度 -55

包装宽度 3.7(Max)

PCB 3

最大功率耗散 1000

欧盟RoHS指令 Compliant

每个芯片的元件数 1

最大集电极基极电压 100

最大集电极发射极电压 80

供应商封装形式 SOT-223

标准包装名称 SOT-223

最高工作温度 150

包装长度 6.7(Max)

包装高度 1.7(Max)

最大基地发射极电压 5

封装 Tape and_Reel

标签 Tab

铅形状 Gull-wing

电流 - 集电极( Ic)(最大) 1.2A

晶体管类型 NPN

安装类型 Surface Mount

下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V

供应商设备封装 SOT-223-4

功率 - 最大 1W

封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA

直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 150mA, 2V

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 BCP56FSCT

工厂包装数量 4000

晶体管极性 NPN

发射极 - 基极电压VEBO 5 V

零件号别名 BCP56_NL

安装风格 SMD/SMT

产品种类 Transistors Bipolar - BJT

直流集电极/增益hfe最小值 40

直流电流增益hFE最大值 250

单位重量 0.006632 oz

集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V

配置 Single

最高工作温度 + 150 C

RoHS RoHS Compliant By Exemption

连续集电极电流 1.2 A

系列 BCP56

集电极 - 基极电压VCBO 100 V

最低工作温度 - 55 C

集电极电流( DC)(最大值) 1.2 A

集电极 - 基极电压 100 V

集电极 - 发射极电压 80 V

发射极 - 基极电压 5 V

功率耗散 1 W

工作温度范围 -55C to 150C

包装类型 SOT-223

元件数 1

直流电流增益(最小值) 25

工作温度分类 Military

弧度硬化 No

直流电流增益 25

集电极电流(DC ) 1.2 A

Collector Emitter Voltage V(br)ceo :80V

功耗 :1W

DC Collector Current :1.2A

DC Current Gain hFE :40

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-223

No. of Pins :4

MSL :-

SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)

Application Code :GP

Av Current Ic :1A

Collector Emitter Voltage Vces :500mV

连续集电极电流Ic最大 :1.2A

Current Ic Continuous a Max :1.2A

Current Ic hFE :150mA

Hfe Min :40

No. of Transistors :1

工作温度范围 :-55°C to +150°C

Power Dissipation Ptot Max :1W

SMD Marking :BCP56

Voltage Vcbo :100V

Weight (kg) 0.00012

Tariff No. 85412900

associated RE901

BCP56

南非总统拉马福萨5日在约翰内斯堡召开的南非第四次工业革命数字经济峰会上表示,欢迎中国华为公司为南非带来5G技术。

拉马福萨说,南非多家电信运营商此前致信他说,封杀华为不但会阻碍南非5G网络建设,还会对现有的3G与4G网络造成影响。他说:“我们需要5G,只有华为才能为我们带来5G。我们支持可以给我们国家以及这个世界带来更好技术的公司。”

拉马福萨还表示,南非将利用第四次工业革命带来的机会,加速经济转型,创造更多就业机会,以应对贫困、失业等问题带来的挑战,“南非不仅要去适应第四次工业革命,更要做全球领跑者”。

在上月底出席二十国集团大阪峰会期间,拉马福萨高度评价了华为对南非电信业发展的贡献,表示南非欢迎并支持华为等中国企业在南投资经营。

AOZ8808DI-05、AOZ1284PI、AOZ1280CI、AOT11N70、AON7934、AON7544、AON7534、AON7524、AON7520、AON7506、AON7423、AON7421、AON7418、AON7410、AON7409、AON7407、AON7405、AON7403、AON7401、AON7296、AON7264E、AON6522、AON6512、AON6508、AON6504、AON6414AL、AON6262E、AON5820、AON2801、AOD603A、AOD516、AOD484、AOD482、AOD478、AOD444、AOD4185、AOD4184L、AOD4184A、AOD4132、AOD413A、AOD409、AOD417、AOD407、AOD403、AO8822、AO8810、AO3414、AO3402、AO4606、AO4485、AO4453、AO4447AL、AO4443、AO4468、AO4435、AO4421、AO4419、AO4407AL、AO4406AL、AO4354、AO4292、AO4264E、AO3485、AO3481、AO3480、AO3423、AO3422、AO3416、AO3415AL、AO3415、AO3407A、AO3401A、AO3400A

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