NOR闪存S29GL01GP11FFIR10

NOR闪存 S29GL01GP11FFIR10 Cypress S29GL01G/512/256/128P为Mirrorbit?Flash产品，NOR闪存 S29GL01GP11FFIR10 采用90nm工艺制造。这些设备提供了25 ns的快速页面访问时间和90 ns的随机访问时间。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程32个单词/64字节，从而比标准编程算法更快的有效编程时间。这使得这些设备成为当今嵌入式应用程序的理想选择，NOR闪存 S29GL01GP11FFIR10 这些应用程序要求更高的密度、更好的性能和更低的功耗。Distinctive Characteristics ? Single 3 V read/program/erase (2.7 - 3.6 V) ? Enhanced VersatileI/O? 控制 – All 输入 水平 (address， control， levels) DQ 输入 和 输出 是 由 电压 VIO input.VIO 范围 是 1.65 到 VCC ? 90 海里 MirrorBit 工艺 ? 8-word/16-byte 页面 NOR闪存 S29GL01GP11FFIR10 读取 缓冲区 ? 32-word/64-byte 写 缓冲区 整体 减少 编程 时间 multiple-word 更新 ? Secured Silicon Sector 地区 – 128 - word/256 字节 部门 通过 8-word/16-byte permanent， 安全 识别 随机 Electronic Serial Number – Can 被 编程 和 锁定 在 工厂 或 客户 ? 64 年 Uniform Kword/128 Kbyte Sector Architecture – S29GL01GP:124个行业- S29GL512P: 512个行业- S29GL256P: 256个行业- S29GL128P:一百二十八 年 行业 ? 100000 年 消除 周期 每 部门 典型 ? 20 年 数据 保留 典型 ? Offered Packages – 56-pin TSOP – 64 - 球 Fortified BGA ? Suspend 和 Resume 命令 Program 和 Erase 操作 ? Write 操作 状态 位 指示 程序 和 擦 除 操作 完成 ? Unlock Bypass Program 命令 来 减少 编程 时间 ? Support 为 CFI (Common Flash Interface) ? Persistent 和 Password Advanced 方法 Sector Protection ? – WP#/ACC 输入Accelerates 编程 时间 (when VHH applied) 更 大 的 吞吐量 在 系统 生产 – Protects 姓 或 部门 不管 部门 保护 设置 ? Hardware 复位 输入 (RESET#) 重置 设备 ? Ready/Busy# 输出 (RY/BY#) completion 检测 程序 或 消除 周期