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FDV301N数字场效应管，N通道

一般描述：

”这种N通道逻辑级增强模式场效应晶体管是使用费尔柴尔德公司专有的高电池生产的密度，DMOS技术。这个非常高密度的过程是特别是为了最小化状态电阻而量身定做的。这，这个本装置是专为低压而设计的。作为数字晶体管的替代品的应用。自不需要偏置电阻，这个N通道场效应管可以用不同的偏置替换几个不同的数字晶体管电阻值。