FDW9926A双N沟道2.5V指定PowerTrench MOSFET一般说明这款N沟道2.5V规格的MOSFET坚固耐用飞兆半导体的门版本先进PowerTrench流程。它已针对电源进行了优化具有多种门的管理应用驱动电压（2.5V - 10V）
应用
?电池保护
?负载开关
? 能源管理
特征
?4.5 A，20 V.R DS（ON）= 32 mΩ@ VGS = 4.5VR DS（ON）= 45 mΩ@ VGS = 2.5 V.
?优化用于电池电路应用
?扩展VGSS 系列（±10V）适用于电池应用
?极高性能的沟槽技术低R DS（ON）
?薄型TSSOP-8封装
AO4413
AO4805
AO3404
FP7103XR-LF
ME6211C33M5G
MP2359DT
STM8S005C6
UCS512C4
SS8050-Y1
LM1117DTX-5.0
STM32L152CBT6
MAX3485
DS90C385
IP101GR
ISL29035IROZ
RTL8201CP
HC5500M03
DC1900P10
HSMP3810
TA0981A
MMBT2222
RFXF8553
RFXF9503
5400BL15B050
RFFC5072
LM3480IM3-3.3
AS1117-3.3V
LTC5582
SGM2036-5.0
SGM2036-3.3
SKY65404
ADF4360-2BCPZ
C8051F020
ECLAMP2374P
ECLAMP2R2P
PC817
12N60
AP8012H
DMP6023LSS-13
TL16C752B
CSD87333Q3D
CSD87333Q4D
LM7812
MX25L25645G
AMC1200BDWVR
EVM3ESX50B14
LM22676MRX-ADJ/NOPB
BQ7694003DB
LP3878SD-1.0
RTD2483D-GR
AP1280AMP-HF
R5F100FEAFP
BQ51013BRHLR
NDC7001C-NL
LC4256C
GM6155-5.0
UCC27517DBVR
RFD15N06
SC2232-CSDNN00
SC1145-CSDNN00
SC2135-CSDNN00
AN41908A-VBA
PNJ4841
MX25L3206EZUI-12G
MX25L6406EZNI-12G
1PMT5.0AT1G
MMSZ5232BT1G
MV1100-BGA
JV9600C
10A10
X9C102S
MP2459DJ
AO4421
AO4882
BSS138
XL3001
LA8303
IP2325
STM32F103CBT6
STM32F103C8T6
TP5100
TPS54332
RT9193
AO4800
78M05
ULN2003
公司:深圳德田科技有限公司
联系人:李小姐
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