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IRF7101TRPBF数据表

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 3.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 150 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Vgs - 栅极-源极电压: 12 V

Qg-栅极电荷: 15 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2 W

配置: Dual

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.75 mm

长度: 4.9 mm

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 3.9 mm

商标: Infineon / IR

正向跨导 - 最小值: 1.1 S

下降时间: 30 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 10 ns

工厂包装数量: 4000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 24 ns

典型接通延迟时间: 7 ns

零件号别名: SP001562024