IRFL9014TRPBF是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）晶体管，由Infineon Technologies公司生产。以下是关于IRFL9014TRPBF的详细内容：
1. N沟道MOSFET：IRFL9014TRPBF是一种N沟道MOSFET，其通道中的电流由负电压控制。它可以作为开关或放大器，用于控制电流和增强信号。
2. 小信号类型：IRFL9014TRPBF是一种小信号MOSFET，适用于低电压和小电流应用。它具有低功耗和高频响应的特点，适用于模拟电路和低功率应用。
3. 封装和引脚：IRFL9014TRPBF采用SOT-23封装，具有三个引脚。这些引脚分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。通过这些引脚，可以在外部电路中连接和控制IRFL9014TRPBF。
4. 规格参数：IRFL9014TRPBF的规格参数包括最大漏极-源极电压（VDS）、最大栅极-源极电压（VGS）、最大电流（ID）、最大功率（PD）和开关时间等。这些参数描述了其工作范围和性能。
5. 特性：IRFL9014TRPBF具有低漏极-源极饱和电压、低开通电阻和高开通电流等特性。它还具有快速的开关特性和低输入和输出电容，使其适用于高频应用和快速开关操作。
6. 应用领域：IRFL9014TRPBF广泛用于各种小信号和低功率应用，如电源管理、模拟信号开关、驱动电路、音频放大器和通信设备等。
7. 环保认证：IRFL9014TRPBF符合RoHS（有害物质限制）和无铅要求，符合环境保护的相关标准。
综上所述，IRFL9014TRPBF是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）晶体管，由Infineon Technologies公司生产。以下是关于IRFL9014TRPBF的详细内容：
1. N沟道MOSFET：IRFL9014TRPBF是一种N沟道MOSFET，其通道中的电流由负电压控制。它可以作为开关或放大器，用于控制电流和增强信号。
2. 小信号类型：IRFL9014TRPBF是一种小信号MOSFET，适用于低电压和小电流应用。它具有低功耗和高频响应的特点，适用于模拟电路和低功率应用。
3. 封装和引脚：IRFL9014TRPBF采用SOT-23封装，具有三个引脚。这些引脚分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。通过这些引脚，可以在外部电路中连接和控制IRFL9014TRPBF。
4. 规格参数：IRFL9014TRPBF的规格参数包括最大漏极-源极电压（VDS）、最大栅极-源极电压（VGS）、最大电流（ID）、最大功率（PD）和开关时间等。这些参数描述了其工作范围和性能。
5. 特性：IRFL9014TRPBF具有低漏极-源极饱和电压、低开通电阻和高开通电流等特性。它还具有快速的开关特性和低输入和输出电容，使其适用于高频应用和快速开关操作。
6. 应用领域：IRFL9014TRPBF广泛用于各种小信号和低功率应用，如电源管理、模拟信号开关、驱动电路、音频放大器和通信设备等。
7. 环保认证：IRFL9014TRPBF符合RoHS（有害物质限制）和无铅要求，符合环境保护的相关标准。
综上所述，IRFL9014TRPBF是一款小信号N沟道MOSFET晶体管，具有低功耗、高频响应和低漏极饱和电压等特点。它适用于各种低电压和小电流应用，并广泛应用于电源管理、模拟信号开关和通信设备等领域。
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-223-4
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 1.8 A
Rds On - 漏-源電阻: 500 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4 V
Qg - 閘極充電: 12 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 3.1 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 31 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 63 ns
系列: IRFL
原廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 9.6 ns
標準開啟延遲時間: 11 ns
零件號別名: IRFL9014TRPBF-BE3
每件重量: 250 mg
