标准包装 2，500
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 NexFET??
规格
FET类型 N沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 28A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 4.5V，10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 2.8毫欧@20A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 1.9V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 18nC@4.5V
Vgs（最大值） +16V，-12V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 2660pF@12.5V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-VSONP（5x6）
封装/外壳 8-PowerTDFN
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