制造商:Toshiba
产品种类:双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:ThroughHole
晶体管极性:PNP
配置:Single
集电极—发射极最大电压VCEO:-140V
集电极—基极电压VCBO:-140V
发射极-基极电压VEBO:-5V
集电极—射极饱和电压:2V
增益带宽产品fT:30MHz
最大工作温度:+150C
直流电流增益hFE最大值:83
商标:Toshiba
集电极连续电流:10A
直流集电极/BaseGainhfeMin:35
Pd-功率耗散:100W
产品类型:BJTs-BipolarTransistors
工厂包装数量:4000
子类别:Transistors
单位重量:4.700g
