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C4D20120A-ND类别 分立半导体产品
二极管-整流器-单
制造商 Cree/Wolfspeed
系列 Z-Rec?
二极管类型 碳化硅肖特基
电压-DC反向（Vr）（最大值） 1200V
电流-平均整流（Io） 54.5A（DC）
不同If时的电压-正向（Vf 1.8V@20A
速度 无恢复时间500mA（Io）
反向恢复时间（trr） 0ns
不同Vr时的电流-反向漏电流 200μA@1200V
不同Vr，F时的电容 1500pF@0V，1MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-2
供应商器件封装 TO-220-2
工作温度-结 -55°C~175°C
C4D20120A-NDWolfspeedsSiCMOSFET，theCMF20120D，providesblockingvoltagesupto1200Vwithanon-stateresistance(RDS(ON))ofjust80mΩat25°C.SettingWolfspeedsSiCMOSFETapartfromcomparablesilicondevices，theRDS(ON)remainsbelow100mΩacrossitsentireoperatingtemperaturerange.Thisconsistencyofperformancecharacteristicsacrossoperatingconditions，alongwithatrueMOSFETdevicearchitecture(normally-off)，makesitidealforpowerelectronicsswitchingcircuits
ComparedtocommerciallyavailablesiliconMOSFETorIGBTdevicesofsimilarratings，intestsconductedbyWolfspeedtheCMF20120Dhadthelowestgatedriveenergy(QG100nC)acrosstherecommendedinputvoltagerange.Conductionlosseswereminimizedwithforwarddro112;(VF)of2Vatacurrentof20A.
TheCMF20120DSiCMOSFETprovidessignificantadvantagesoversilicondevices，enablingunprecedentedsystemefficiencyand/orreducedsystemsize，weight，andcostthroughitshigherfrequencyoperation.ItcanmeetorbeatsiliconMOSFETswitchingspeedsandreduceswitchinglossesinmanyapplicationsbyupto50percent.
ComparedtothebestsiliconIGBTs，theWolfspeeddevicecanreduceoverallconversionlossesbyupto50percent，allowingoperationathigherswitchingfrequencieswithhighersystemefficiencies.Highercomponentefficiencyalsoresultsinloweroperatingtemperatures.CombiningtheseloweroperatingtemperatureswiththeCMF20120Dsultra-lowleakagecurrent(1μA)addssignificantlytosystemreliability..
C4D20120A-ND
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