深圳市汇创佳电子科技有限公司0755-8254549813538016218QQ：531398920朱先生
数据列表 IRF5210(S，L)PbF
标准包装 800
包装 标准卷带
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 HEXFET
规格
FET类型 P沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 38A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 60毫欧38A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 4V250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 230nC10V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 2780pF25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），170W（Tc）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
