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一、EUPECIGBT器件（含税价，IGBT型号中的电流值按TC80℃时标称，后面电流值按TC25℃时标称）
1、两单元――1200V/1700V/3300V/6500V系列
2、两单元――600V系列
3、六单元（低饱和压降型）
4、功率集成模块（三相桥+七单元+温度传感器
5、一单元--1200V/1700V
6、四单元（H桥30KHZ高频）
二、EUPECIGBT驱动电路
2ED300C17-S（可驱动3600A，1700V，两单元）
2ED020I12-F（可驱动50A，1200V，两单元）
三、EPCOS优质电解电容――超长寿命（85℃时12000小时）、超小体积、高效滤波
四、英飞凌IGBT单管600V/1200V
特点：
☆采用沟槽栅+电场终止层（Fieldstop）IGBT工艺技术
☆参数离散性小，便于批量生产使用
☆可靠性高，高温性能稳定，特性优异，具有最优的性能价格比
☆型号中电流按Tc100℃时标称，有效使用电流大
☆600VIGBT单管最大工作结温可达Tjmax≤175℃
☆内置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管
☆正温被系数饱和压降易于并联
五、英飞凌快恢复二极管600V/1200V
特点：
☆Infineon专利技术生产（Emcon）快速软恢复二极管；反向恢复软度因子S4.4
☆低反向恢复电荷Qrr2900nc
☆低正向导通压降:VF1.5V且不随温度升高而升高，易于并联.
☆最高工作结温高达Tj175℃高温特性好
