类别 分立半导体产品
晶体管-FET，MOSFET-单
制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc.
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET类型 P沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 12A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 6V，10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 14毫欧@9A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 3V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 39nC@10V
Vgs（最大值） ±25V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF@15V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），29W（Tc）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-DFN（3x3）
封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线
