制造商:Toshiba
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RFMOSFET)晶体管
RoHS:详细信息
晶体管极性:N-Channel
Id-连续漏极电流:3A
Vds-漏源极击穿电压:12V
技术:Si
增益:11.5dB
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:PW-X-4
封装:CutTape
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:Single
工作频率:470MHz
系列:2SK4037
类型:RFPowerMOSFET
商标:Toshiba
Pd-功率耗散:20W
产品类型:RFMOSFETTransistors
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
Vgs-栅极-源极电压:3V
Vgsth-栅源极阈值电压:1V
