制造商:DiodesIncorporated
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TSOT-26-6
通道数量:2Channel
晶体管极性:N-Channel，P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20V，-20V
Id-连续漏极电流:4.5A，-3.1A
RdsOn-漏源导通电阻:35mOhms，74mOhms
Vgsth-栅源极阈值电压:0.4V，-0.4V
Vgs-栅极-源极电压:4.5V，-4.5V
Qg-栅极电荷:12nC，14nC
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
配置:Dual
Pd-功率耗散:1.1W
通道模式:Enhancement
封装:Reel
系列:DMC2038
晶体管类型:1N-Channel，1P-Channel
商标:DiodesIncorporated
下降时间:8ns，13ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8ns，12ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:25ns，21ns
典型接通延迟时间:5ns，11ns
