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深圳市博浩通科技有限公司代理销售IPB042N10N3G产品

2025-6-20 9:19:00
  • IPB042N10N3G 品牌Infineon 年份NEW 封装TO-263-3

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TO-263-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 88 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 214 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 73 S

下降时间: 14 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 59 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 48 ns

典型接通延迟时间: 27 ns

零件号别名: IPB042N10N3GATMA1 IPB42N1N3GXT SP000446880

单位重量: 4 g