制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 20.5 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 28 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
高度: 16.15 mm
长度: 10.65 mm
系列: CoolMOS CE
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.85 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: IPA60R650CE SP001276044
单位重量: 2.300 g
