型号：SI7172DP-T1-GE3

品牌：Vishay / Siliconix

描述：分立式半导体 贴片MOSFET

贴片QFN-8 MOSFET N通道 200V 25A PPAK SO-8

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N通道

汲极/源极击穿电压：200 V

导通电阻：70 mOhms

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT/贴片

供应商标准封装：SOP-8

封装类型：Reel/卷盘

下降时间：10 ns, 9 ns

最小工作温度：- 55 C

闸/源击穿电压：+/- 20 V

漏极连续电流：5.9 A

功率耗散：5.4 W

上升时间：12 ns, 11 ns

系列：SI71xxDx

工厂包装数量：3000

典型关闭延迟时间：24 ns, 26 ns

产品其它名称：SI7172DP-GE3

批号：最新出厂批次

数量：18960

备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应SI7172DP-T1-GE3晶体MOSFET管

正品原装，厂家直销品质保证，欢迎广大客户朋友咨询谈。

MOS管驱动

跟双极性晶体管相比，普通以为使MOS管导通不需求电流，只需GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需求速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，理论上就是对电容的充放电。对电容的充电需求一个电流，由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要留意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二留意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需求是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。假设在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要特地的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要留意的是应该选择适合的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需求有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。往常也有导通电压更小的MOS管用在不同的范畴里，但在12V汽车电子系统里，普通4V导通就够用了