标准包装 3,000
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 14nC @ 10V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 645pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 50 毫欧 @ 4A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
