数据列表 AO4403;_
SO8 Pkg Drawing;_
标准包装 3,000
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 -
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.3nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1128pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 46 毫欧 @ 6.1A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)