数据列表 AO4437;_
SO8 Pkg Drawing;_
标准包装 3，000
零件状态 停產
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 47nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4750pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds 6V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 16 毫欧 @ 11A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
