FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点 Standard

漏极至源极电压（VDSS） 1500V (1.5kV)

电流-连续漏极（编号）@ 25°C -

Rds（最大）@ ID，VGS 9 Ohm @ 1.3A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id 5V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS 29.3nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的 939pF @ 25V

功率 - 最大 63W

安装类型 Through Hole

包/盒 TO-3PF

供应商器件封装 TO-3PF

包装材料 Tube

包装 3TO-3PF

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 1500 V

最大连续漏极电流 2.5 A

RDS -于 9000@10V mOhm

最大门源电压 ±30 V

典型导通延迟时间 24 ns

典型上升时间 47 ns

典型关闭延迟时间 45 ns

典型下降时间 61 ns

工作温度 -50 to 150 °C

安装 Through Hole

主营集成芯片二三极管，专业工厂配单 配套范围:集成电路ic 二三极管 电容电阻电感 晶振 LED 万用板 排针 排母 连接器接插件 XH、VH、PH系列 微动开关按键开关 FPC软排线 DC插座 USB 杜邦线等电子元件物料

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