IRF1018EPBF 制造商：International Rectifier 联系电话:13590238352黄小姐
RoHS：ROHS 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：管件
说明：MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
PCN Assembly/Origin：Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
标准包装：50
类别：分立式导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET?
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：79A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.4 毫欧 @ 47A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：69nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2290pF @ 50V
功率 - 最大值：110W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB
