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AO3460/3460/SOT-23-3 N沟道 场效应MOS管

2023-10-25 8:40:00
  • AO3460/3460/SOT-23-3 N沟道 场效应MOS管

标准包装 3,000

漏极至源极电压(Vdss) 60V

输入电容(Ciss ) @ VDS 27pF @ 30V

封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

漏极电流(最大值) 0.65 A

栅源电压(最大值) �20 V

功率耗散 1.4 W

安装 Surface Mount

漏源导通电阻 1.7 ohm

工作温度范围 -55C to 150C

包装类型 SOT-23

引脚数 3

极性 N

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

通道模式 Enhancement

漏源导通电压 60 V

弧度硬化 No

主营集成芯片二三极管,专业工厂配单 配套范围:集成电路ic 二三极管 电容电阻电感 晶振 LED 万用板 排针 排母 连接器接插件 XH、VH、PH系列 微动开关按键开关 FPC软排线 DC插座 USB 杜邦线等电子元件物料

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