规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 850pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 35W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 175 毫欧 @ 9A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220F
封装/外壳 TO-220-3 整包
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