信息
数据列表 IXT(K.Q.T)82N25P
标准包装 25
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET,MOSFET-单
规格
FET类型 N沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
楼源电压 250V
电流-连续漏级 82A(TC)
驱动电压 最大，最小Rds ON 10V
不同ID时的Vgs最大值 5v@ 250μA
不同Vgs时的栅极电荷最大值 142nC @ 10V
电压，耦合至栅极电荷最大@Vgs 10V
Vgs 最大值 ±20V
不同Vds时的输入电容最大值 4800pF @ 25V
电压，耦合至输入电容最大@Vds 25V
FET 功能 - 功率耗散（最大值） 500W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 41A，10V 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 通孔 供应商器件封装 TO-264（IXTK） 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA
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